硅提純：將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000 ℃、有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)（碳與氧結(jié)合，剩下硅），得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級(jí)硅。

 

　　單晶硅生長(zhǎng)：將高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約400 ℃，爐中的氣體通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%，成為電子級(jí)硅。

 

　　晶圓成型：方法叫直拉法，用直拉法生長(zhǎng)后，單晶棒將按適當(dāng)?shù)某叽邕M(jìn)行切割，然后進(jìn)行研磨，將凹凸的切痕磨掉，再用化學(xué)機(jī)械拋光工藝使其至少一面光滑如鏡，晶圓片制造就完成了。

 

　　半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造過程中檢測(cè)芯片性能與缺陷。半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備貫穿于半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，可分為晶圓制造環(huán)節(jié)的檢測(cè)設(shè)備和封測(cè)環(huán)節(jié)的檢測(cè)設(shè)備。晶圓制造環(huán)節(jié)的檢測(cè)設(shè)備主要用于外觀檢測(cè)，是一種物理性、功能性的測(cè)試。

 

　　封測(cè)環(huán)節(jié)的檢測(cè)設(shè)備主要用于測(cè)試芯片的性能和缺陷.

 

　　半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)設(shè)備具有以下優(yōu)點(diǎn)：

 

　　適用性廣：可適用于4—8英寸有圖形晶圓。

 

　　檢測(cè)速度快：有圖形晶圓：缺陷數(shù)量在200個(gè)以內(nèi)的情況下，5分鐘/片。

 

　　檢測(cè)精度高：系統(tǒng)分辨率：0.2-0.8μm。

 

　　操作安全：在檢測(cè)設(shè)備與開盒器之間建立一種通訊機(jī)制，彼此形成互鎖。不但確保了操作安全性，防止人為失誤，還能避免晶圓從晶舟散落出來，導(dǎo)致晶圓碎片的隱患。